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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2806
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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