RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2732
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-003.A00LF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link