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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2481
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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