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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
53
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
53
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2333
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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