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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
47
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
47
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2308
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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