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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2907
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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