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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 10.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 37
    En -16% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 10.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 2318

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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