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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3091
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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