RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3091
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link