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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3561
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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