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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
24
Velocità di lettura, GB/s
13.3
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3561
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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