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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3060
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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