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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
41
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
22
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3060
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
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