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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3011
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
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