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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3721
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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