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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3096
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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