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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
比较
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
总分
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.3
16.4
写入速度,GB/s
8.3
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2176
3096
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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