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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
60
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
60
读取速度,GB/s
14.2
15.3
写入速度,GB/s
13.6
11.0
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2359
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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