RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
60
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
60
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2359
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link