RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
60
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
60
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
11.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2359
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link