SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Pontuação geral
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Pontuação geral
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    46 left arrow 60
    Por volta de 23% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 11.0
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.3 left arrow 14.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 21300
    Por volta de 1.2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.2 left arrow 15.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    13.6 left arrow 11.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2717 left arrow 2359
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