RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
19.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
4250
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link