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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2611
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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