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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

总分
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 41
    左右 -86% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.9 left arrow 13.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2176 left arrow 2611

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
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Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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