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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
78
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
78
读取速度,GB/s
12.3
12.1
写入速度,GB/s
8.0
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2113
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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