RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
78
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
78
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2113
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link