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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
71
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
71
读取速度,GB/s
10.4
14.5
写入速度,GB/s
7.8
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
1863
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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