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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
14.7
21.4
写入速度,GB/s
9.1
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3809
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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