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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
42
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
20
读取速度,GB/s
10.6
19.2
写入速度,GB/s
9.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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