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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
49
读取速度,GB/s
10.4
10.8
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2302
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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