RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
49
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
49
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2302
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link