RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3563
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link