RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
69
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
65
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2041
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link