RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
69
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
65
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2041
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link