RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
51
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2169
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link