RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
59
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
48
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2466
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link