RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2925
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link