RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
69
Autour de -6% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
65
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2041
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link