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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
69
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
65
读取速度,GB/s
4,217.2
16.4
写入速度,GB/s
1,857.7
8.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2041
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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