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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.4
    Valor médio nos testes
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    65 left arrow 69
    Por volta de -6% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 65
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 16.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 2041

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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