RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
65
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2041
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link