RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2944
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link