Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около 10% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 29
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 18.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3563

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM