RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
58
Около -87% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3738
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link