RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
18.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
58
Por volta de -87% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
18.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3738
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link