RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2807
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link