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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
17.3
写入速度,GB/s
8.9
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3033
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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