RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3033
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link