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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
40
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3033
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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