Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 40

Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 23
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.3
Скорость записи, Гб/сек

8.9 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 3033

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB

модули RAM