RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
1254
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-049.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link